三星联合IBM共同研发STT-MRAM接替DRAM-资讯无线电话
2022-11-01
三星联合IBM共同研发STT-MRAM接替DRAM-资讯
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据韩媒BusinessKorea报道,IBM和三星近日在IEEE上发布研究论文称,两家公司联手打造了一种被称为STT-MRAM的新内存,有望成为目前DRAM内存的最实际接替者。
DRAM,即动态随机存取存储器,挂锁目前最大的发展障碍就是其很难被压缩至10nm以下曲轴冲床,因此两家公司研发的STT-MRAM(自旋传输磁性记忆体)首先就将解决这一问题。
摇马 另外,新内存也将拥有更高的传输速度且更加省电,理论性能也将超越DRAM。
<橡胶模具p> 业界认为,这可能是目前DRAM的最佳接替者,因为95%的DRAM制造设施都可以用于接下来的STT-MRAM的生产,这将大大降低成本并缩短换代周期。关注电子行业精彩资讯,关注华特殊钢材强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
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